Форум Микро-Чип
Поиск и заказ электронных компонентов
 

Вернуться   Форум Микро-Чип > Вопросы начинающих

Вопросы начинающих Прежде чем задать вопрос, стоит воспользоваться поиском

Ответ
 
Опции темы Опции просмотра
Старый 18.09.2017, 21:12   #1
Евгений Владимирович
Member
 
Аватар для Евгений Владимирович
 
Регистрация: 05.03.2008
Возраст: 31
Сообщений: 54
Вес репутации: 102/37
Евгений Владимирович will become famous soon enoughЕвгений Владимирович will become famous soon enough
Exclamation Объединение портов МК для получения большего тока

1) Подскажите пожалуйста разрешается ли объединять 2 порта (спаивать 2 ножки МК) например RA1 и Ra0 (pic16f84a) для получения тока в 40mA на выходе.
Для чего делаю, для симистора Bt139 требуется более 20mA в течении 15mS

Поиском пользовался видел несколько таких схем. ставить дополнительно транзистор не вариант.

2) Параллельно не по теме вопрос. МПлаб 8.30 (Си компилятор HCPICP-pro-9.60PL5) перестал понимать команды записи TRISB = 255; компилятор как будто пропускает эту команду но компилятор видит\понимает только TRISB0 = 1;TRISB1 = 1; и т.д.

Последний раз редактировалось Евгений Владимирович; 18.09.2017 в 21:17.
Евгений Владимирович вне форума   Ответить с цитированием
Старый 18.09.2017, 21:25   #2
DimaS
Senior Member
 
Регистрация: 05.04.2008
Адрес: Israel
Возраст: 44
Сообщений: 1,407
Вес репутации: 2098/70
DimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond repute
По умолчанию Re: Объединение портов МК для получения большего тока

Я объединял.
Только надо еще помнить про допустимый общий ток через ноги питания.
DimaS вне форума   Ответить с цитированием
Старый 18.09.2017, 23:00   #3
Евгений Владимирович
Member
 
Аватар для Евгений Владимирович
 
Регистрация: 05.03.2008
Возраст: 31
Сообщений: 54
Вес репутации: 102/37
Евгений Владимирович will become famous soon enoughЕвгений Владимирович will become famous soon enough
По умолчанию Re: Объединение портов МК для получения большего тока

Цитата:
Сообщение от DimaS Посмотреть сообщение
Я объединял.
Только надо еще помнить про допустимый общий ток через ноги питания.
тоесть ток увеличивался (конфликтов с работой пика не наблюдалось) и симистор нормально открывался? Спасибо за ответ

По второму пункту вопроса сам все решил, переустановил компилятор и мплаб все нормализовалось.
Евгений Владимирович вне форума   Ответить с цитированием
Старый 19.09.2017, 10:32   #4
korsaj
Senior Member
 
Регистрация: 15.02.2011
Возраст: 35
Сообщений: 738
Вес репутации: 548/37
korsaj is a glorious beacon of lightkorsaj is a glorious beacon of lightkorsaj is a glorious beacon of lightkorsaj is a glorious beacon of lightkorsaj is a glorious beacon of lightkorsaj is a glorious beacon of light
По умолчанию Re: Объединение портов МК для получения большего тока

Цитата:
Сообщение от Евгений Владимирович Посмотреть сообщение
для симистора Bt139 требуется более 20mA в течении 15mS
Чет в даташите нет таких букав...
korsaj вне форума   Ответить с цитированием
Старый 19.09.2017, 11:16   #5
Евгений Владимирович
Member
 
Аватар для Евгений Владимирович
 
Регистрация: 05.03.2008
Возраст: 31
Сообщений: 54
Вес репутации: 102/37
Евгений Владимирович will become famous soon enoughЕвгений Владимирович will become famous soon enough
По умолчанию Re: Объединение портов МК для получения большего тока

Цитата:
Сообщение от korsaj Посмотреть сообщение
Чет в даташите нет таких букав...
https://lib.chipdip.ru/583/DOC001583327.pdf
ошибся не 15ms, хотел написать 15мкс
время открытия 2мкс,
ток открывания typ - 22ma max - 70ma
Евгений Владимирович вне форума   Ответить с цитированием
Старый 19.09.2017, 12:17   #6
Марк
Senior Member
 
Аватар для Марк
 
Регистрация: 18.08.2007
Адрес: M.O.
Возраст: 58
Сообщений: 2,128
Вес репутации: 2724/86
Марк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond repute
По умолчанию Re: Объединение портов МК для получения большего тока

Цитата:
Сообщение от Евгений Владимирович Посмотреть сообщение
тоесть ток увеличивался (конфликтов с работой пика не наблюдалось) и симистор нормально открывался?
Только надо помнить, что допустимый ток не удвоится и что выводить нужно одновременно. Вообще то по хорошему объединять нужно через выравнивающие резисторы.
Марк вне форума   Ответить с цитированием
Старый 19.09.2017, 14:19   #7
DimaS
Senior Member
 
Регистрация: 05.04.2008
Адрес: Israel
Возраст: 44
Сообщений: 1,407
Вес репутации: 2098/70
DimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond repute
По умолчанию Re: Объединение портов МК для получения большего тока

Цитата:
Сообщение от Марк Посмотреть сообщение
Вообще то по хорошему объединять нужно через выравнивающие резисторы.
Не нужно, его роль в данном случае прекрасно исполняет Rdson выходного каскада пина.

Цитата:
Сообщение от Евгений Владимирович Посмотреть сообщение
тоесть ток увеличивался (конфликтов с работой пика не наблюдалось) и симистор нормально открывался? Спасибо за ответ
.
У меня не сиимистор был, а другая нагрузка, причем не импульсом а постоянно. Работало прекрасно.
А симистор BTB24 у меня с ожной ножки пика через MOC3063 работает.
DimaS вне форума   Ответить с цитированием
Старый 19.09.2017, 18:36   #8
mos
Senior Member
 
Регистрация: 12.04.2008
Сообщений: 571
Вес репутации: 335/44
mos is a jewel in the roughmos is a jewel in the roughmos is a jewel in the roughmos is a jewel in the rough
По умолчанию Re: Объединение портов МК для получения большего тока

По хорошему, через диоды надо объединять, чтобы сквозной ток исключить...
mos вне форума   Ответить с цитированием
Старый 19.09.2017, 19:53   #9
korsaj
Senior Member
 
Регистрация: 15.02.2011
Возраст: 35
Сообщений: 738
Вес репутации: 548/37
korsaj is a glorious beacon of lightkorsaj is a glorious beacon of lightkorsaj is a glorious beacon of lightkorsaj is a glorious beacon of lightkorsaj is a glorious beacon of lightkorsaj is a glorious beacon of light
По умолчанию Re: Объединение портов МК для получения большего тока

Почему-то всегда думал что для полевиков не нужны выравнивающие резисторы. Ну а насчет надежности - лучше дополнить транзистором чем ноги в пучек собирать (личное мнение).
korsaj вне форума   Ответить с цитированием
Старый 19.09.2017, 21:51   #10
DimaS
Senior Member
 
Регистрация: 05.04.2008
Адрес: Israel
Возраст: 44
Сообщений: 1,407
Вес репутации: 2098/70
DimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond repute
По умолчанию Re: Объединение портов МК для получения большего тока

Цитата:
Сообщение от Марк Посмотреть сообщение
Нет, обычное правило надежности.
Никто не гарантирует одинаковый Rdson.
У одинаковых транзисторов на одном кристалле, при постоянной температуре, Rdson будет с приемлимой точностью тоже одинаковый.
Никто-же не "уравнивает" токи в мощных полевиках?
Я имею ввиду те малюсенькие полевички, из которых состоит любой вертикальный мощный мосфет - в нем просто 10-20 тысяч маленьких мосфетиков параллельно
DimaS вне форума   Ответить с цитированием
Старый 19.09.2017, 23:22   #11
mos
Senior Member
 
Регистрация: 12.04.2008
Сообщений: 571
Вес репутации: 335/44
mos is a jewel in the roughmos is a jewel in the roughmos is a jewel in the roughmos is a jewel in the rough
По умолчанию Re: Объединение портов МК для получения большего тока

У мосфетов, в отличии от биполяров, положительный температурный коэффициент Rds, поэтому их можно баянить сколько угодно. Однако, выход порта- это не ключ с открытым стоком, а стойка полумоста. Порты переключаются хоть и сихронно, но транзисторы в них открываются с разной скоростью (особенно под нагрузкой). Поэтому, если непосредственно параллелить выходы портов между собой- могут шуровать импульсы сквозного тока, т.е. к.з. на шине питания внутри кристалла. Проще говоря- генерить помехи...
mos вне форума   Ответить с цитированием
Старый 20.09.2017, 07:06   #12
Марк
Senior Member
 
Аватар для Марк
 
Регистрация: 18.08.2007
Адрес: M.O.
Возраст: 58
Сообщений: 2,128
Вес репутации: 2724/86
Марк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond repute
По умолчанию Re: Объединение портов МК для получения большего тока

Цитата:
Сообщение от HHIMERA Посмотреть сообщение
И какой же разброс допустим??? Ась???
Закон Ома, учи, болезный...
Выше резоны по балласту изложили. Мало того, при управлении гейтом тиристора-симистора ПО ЛЮБОМУ нужно ставить балластный резистор. Всего делов - разделить его на два равных по каждому выходу.
Марк вне форума   Ответить с цитированием
Старый 20.09.2017, 07:08   #13
Марк
Senior Member
 
Аватар для Марк
 
Регистрация: 18.08.2007
Адрес: M.O.
Возраст: 58
Сообщений: 2,128
Вес репутации: 2724/86
Марк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond repute
По умолчанию Re: Объединение портов МК для получения большего тока

Цитата:
Сообщение от mos Посмотреть сообщение
У мосфетов, в отличии от биполяров, положительный температурный коэффициент Rds
Выше определенной точки по входной характеристике.
Марк вне форума   Ответить с цитированием
Старый 20.09.2017, 09:36   #14
mos
Senior Member
 
Регистрация: 12.04.2008
Сообщений: 571
Вес репутации: 335/44
mos is a jewel in the roughmos is a jewel in the roughmos is a jewel in the roughmos is a jewel in the rough
По умолчанию Re: Объединение портов МК для получения большего тока

Цитата:
Сообщение от Марк Посмотреть сообщение
Выше определенной точки по входной характеристике.
Положительная зависимость Rds от Tj присутствует во всем диапазоне рабочих температур (-60...+180), никакой точки там нет. Вы путаете с зависимостью максимального тока или мощности от температуры перехода...
mos вне форума   Ответить с цитированием
Старый 20.09.2017, 10:07   #15
Марк
Senior Member
 
Аватар для Марк
 
Регистрация: 18.08.2007
Адрес: M.O.
Возраст: 58
Сообщений: 2,128
Вес репутации: 2724/86
Марк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond repute
По умолчанию Re: Объединение портов МК для получения большего тока

А я ничего не говорил о зависимости от температуры.
Положительный ТКС наблюдается выше определенного напряжения затвор-исток. Ниже - ТКС отрицателен. В самой этой точке равен нулю.
ЗЫ. Ссылку сейчас дать не могу. До конца дня выхожу только со смартфона.
Марк вне форума   Ответить с цитированием
Старый 20.09.2017, 10:25   #16
mos
Senior Member
 
Регистрация: 12.04.2008
Сообщений: 571
Вес репутации: 335/44
mos is a jewel in the roughmos is a jewel in the roughmos is a jewel in the roughmos is a jewel in the rough
По умолчанию Re: Объединение портов МК для получения большего тока

Цитата:
Сообщение от Марк Посмотреть сообщение
Положительный ТКС наблюдается выше определенного напряжения затвор-исток. Ниже - ТКС отрицателен.
Вы ошибаетесь, положительный ТКС присутствует всегда. Просто на выходные характеристики транзистора еще накладывается зависимость Rds от Vgs. Последний параметр актуален лишь для линейного режима работы транзистора. В ключевом режиме его если и учитывают, то в сильноточных схемах для анализа переходных процессов...
mos вне форума   Ответить с цитированием
Старый 20.09.2017, 10:32   #17
Марк
Senior Member
 
Аватар для Марк
 
Регистрация: 18.08.2007
Адрес: M.O.
Возраст: 58
Сообщений: 2,128
Вес репутации: 2724/86
Марк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond repute
По умолчанию Re: Объединение портов МК для получения большего тока

2. Я делаю - и все работает - отмазка для таких как ты, Стас, балаболов. Мимо.
7. Да, сопротивление канала является естественным балластом. Но с учетом разброса и без учета паразитных диодов параллельно каналам. При условии, что расчета на удвоение тока не будет - можно объединять без балласта.
15. На самом деле в мощных транзисторах представлять структуру как сумму маленьких не вполне корректно. Они не находятся каждый в своем р-кармане, в отличии от р-транзисторов в мосфетах.
Марк вне форума   Ответить с цитированием
Старый 20.09.2017, 10:46   #18
DimaS
Senior Member
 
Регистрация: 05.04.2008
Адрес: Israel
Возраст: 44
Сообщений: 1,407
Вес репутации: 2098/70
DimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond repute
По умолчанию Re: Объединение портов МК для получения большего тока

Цитата:
Сообщение от Марк Посмотреть сообщение
А я ничего не говорил о зависимости от температуры.
Положительный ТКС наблюдается выше определенного напряжения затвор-исток. Ниже - ТКС отрицателен.
В самой этой точке равен нулю.
ЗЫ. Ссылку сейчас дать не могу. До конца дня выхожу только со смартфона.
Наверное, имеется ввиду точка термостабильности, когда при постоянном напряжении на гейте, нагрев приводит к уменьшению тока?
Миниатюры
mosfet_stabletemp.png   Rdson_temp.png  
DimaS вне форума   Ответить с цитированием
Старый 20.09.2017, 11:05   #19
Марк
Senior Member
 
Аватар для Марк
 
Регистрация: 18.08.2007
Адрес: M.O.
Возраст: 58
Сообщений: 2,128
Вес репутации: 2724/86
Марк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond repute
По умолчанию Re: Объединение портов МК для получения большего тока

Спасибо, именно это я и имел ввиду.
С учетом, что напряжение в CMOS на затворах в принципе находятся рядом с точкой нулевого ТКС.
Важнее разброса сопротивлений канала будет уязвимость сдвоенного пина к защелкиванию. Ток защелкивания будет очень далек от удвоения.
Марк вне форума   Ответить с цитированием
Старый 20.09.2017, 11:15   #20
Марк
Senior Member
 
Аватар для Марк
 
Регистрация: 18.08.2007
Адрес: M.O.
Возраст: 58
Сообщений: 2,128
Вес репутации: 2724/86
Марк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond repute
По умолчанию Re: Объединение портов МК для получения большего тока

Цитата:
Сообщение от mos Посмотреть сообщение
Вы ошибаетесь, положительный ТКС присутствует всегда. Просто на выходные характеристики транзистора еще накладывается зависимость Rds от Vgs. Последний параметр актуален лишь для линейного режима работы транзистора. В ключевом режиме его если и учитывают, то в сильноточных схемах для анализа переходных процессов...
Это как?
Вообще то самому транзистору глубоко по барабану режим. Всегда можно выбрать нагрузку столь малой, что транзистор выйдет в активный режим. Не вижу никакой связи с отрицательным ТКС при малых затворных напряжениях.
Кстати, я сталкивася с саморазогревом транзисторов, когда пытался уменьшить затворное напряжение и рассеиваемую мощность драйвера на высокой частоте коммутации.

Последний раз редактировалось Марк; 20.09.2017 в 11:24.
Марк вне форума   Ответить с цитированием
Старый 20.09.2017, 18:52   #21
mos
Senior Member
 
Регистрация: 12.04.2008
Сообщений: 571
Вес репутации: 335/44
mos is a jewel in the roughmos is a jewel in the roughmos is a jewel in the roughmos is a jewel in the rough
По умолчанию Re: Объединение портов МК для получения большего тока

Цитата:
Сообщение от Марк Посмотреть сообщение
Это как?
Выше были картинки. На одной показана зависимость сопротивления канала от температуры, при заданных Id и Vgs- ТКС положительный. Вторая картинка- кривые тока от Vgs, при разных температурах. График напряжения начинается с 4вольт, т.е. с порогового напряжения Vth и показывает, как зависит пороговое напр. от температуры. Очевидно, что для ключевого режима, когда Vg>=10В, имеем положительный ТКС.

В линейном режиме, когда Vgs может находится ниже порогового или близко к нему, мы попадаем в зону, где график показывает отрицательный ТКС. Т.е., с одной стороны с нагреванием кристалла будет повышаться Rds, а с другой- понижаться Vth, (что, в свою очередь, будет приводить к увеличению проводимости перехода). Т.о., ТКС будет зависть от того, какой из описанных эффектов будет преобладать...

Цитата:
Сообщение от Марк Посмотреть сообщение
Кстати, я сталкивася с саморазогревом транзисторов, когда пытался уменьшить затворное напряжение и рассеиваемую мощность драйвера на высокой частоте коммутации.
С уменьшением Vgs уменьшалось проводимость канала, соответственно и падало на нем больше вольтов- отсюда и разогрев. Это в статике. А в динамике- с уменьшением Vgs увеличилось время открывания ключа...
mos вне форума   Ответить с цитированием
Старый 20.09.2017, 22:01   #22
Марк
Senior Member
 
Аватар для Марк
 
Регистрация: 18.08.2007
Адрес: M.O.
Возраст: 58
Сообщений: 2,128
Вес репутации: 2724/86
Марк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond repute
По умолчанию Re: Объединение портов МК для получения большего тока

Цитата:
Сообщение от mos Посмотреть сообщение
Очевидно, что для ключевого режима, когда Vg>=10В, имеем положительный ТКС.
...................
В линейном режиме, когда Vgs может находится ниже порогового или близко....
Хотелось бы внести ясность.
Ключевой режим транзистора подразумевает ДВА преобладающих состояния: состояние отсечки и состояние насыщения. Если с отсечкой все более-менее ясно, то вот с насыщением.... Вы пишите очень странные вещи.
ЛЮБОЕ напряжение на затворе выше порогового может установить режим насыщения транзистора. Подчеркиваю - ЛЮБОЕ. Все зависит от сопротивления нагрузки. При напряжении питания ключа 10 вольт, токе канала 1 мА и сопротивлении нагрузки 10 кОм,транзистор будет находится в режиме насыщения. Полагаю Вам не надо говорить о том, что ток канала в 1 мА можно получить при напряжении затвор-исток чуть выше порогового? Именно режим малых токов канала позволяет управлять низкими напряжениями в КМОП структуре.
Но если нагрузку сделать равной 5 кОм, при том же 1 мА через канал транзистор вывалится в центр активного режима и начнется его нагрев. Или напряжение питания поднять....

Цитата:
Сообщение от mos Посмотреть сообщение
С уменьшением Vgs уменьшалось проводимость канала, соответственно и падало на нем больше вольтов- отсюда и разогрев. Это в статике. А в динамике- с уменьшением Vgs увеличилось время открывания ключа...
Изменение проводимости канала СОВЕРШЕННО не причем. Я умею считать и динамические и статические потери. Опять же в состоянии измерить с помощью осциллографа режим ключа. И время отпирания ключа я так же в состоянии измерить. Тем более, что речь шла о ключевом УМ работающем на балун-трансфлюксор и П-фильтр.
Для информации.
Саморазогрев наступал при напряжении на затворе в 6 вольт и СОВЕРШЕННО не наступал при напряжении 7 вольт. Как Вы сами понимаете, такая разница не может приводить к столь заметному эффекту связанному с сопротивлением канала...

Последний раз редактировалось Марк; 20.09.2017 в 22:08.
Марк вне форума   Ответить с цитированием
Старый 21.09.2017, 02:21   #23
mos
Senior Member
 
Регистрация: 12.04.2008
Сообщений: 571
Вес репутации: 335/44
mos is a jewel in the roughmos is a jewel in the roughmos is a jewel in the roughmos is a jewel in the rough
По умолчанию Re: Объединение портов МК для получения большего тока

Цитата:
Сообщение от Марк Посмотреть сообщение
Хотелось бы внести ясность. ЛЮБОЕ напряжение на затворе выше порогового может установить режим насыщения транзистора.
Собственно, диалог возник вокруг ТКС и почему он становится отрицательным при малых затворных напряжениях. Очевидно, что обсуждать ТКС канала, при токах через ключ в единицы мА, смысла не имеет...

Что касается области насыщения, то параметр Vth и указывает на начало этой области, при этом дается ссылка на Vd и Id, при которых производились измерения. В свою очередь, график передаточной хар-ки показывает зависимость Id от Vgs или, если угодно, как растет Vth при увеличении тока через ключ. Т.е., пороговое напряжение Vth можно назвать условным параметром, дающим лишь типовое представление о нижней рабочей области управляющего напр. транзистора. Поэтому утверждать, что ЛЮБОЕ напряжение на затворе выше порогового может установить режим насыщения транзистора- не корректно. По большому счету, любое напряжение выше нуля может привести к насыщению...
Цитата:
Сообщение от Марк Посмотреть сообщение
Для информации.
Саморазогрев наступал при напряжении на затворе в 6 вольт и СОВЕРШЕННО не наступал при напряжении 7 вольт.
Осталось указать тип транзистора...
mos вне форума   Ответить с цитированием
Старый 21.09.2017, 06:19   #24
Марк
Senior Member
 
Аватар для Марк
 
Регистрация: 18.08.2007
Адрес: M.O.
Возраст: 58
Сообщений: 2,128
Вес репутации: 2724/86
Марк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond repute
По умолчанию Re: Объединение портов МК для получения большего тока

А теперь вспомним, что речь шла не о ключах вообще, а о КМОП структурах в режимах предельных токов. То есть на участке, где драйвер работает в режиме генератора тока и нагрузка имеет сопротивление соизмеримое с каналом. Это практически уже и не отсечка.
Про транзисторы в УМ немного позже.
Марк вне форума   Ответить с цитированием
Старый 21.09.2017, 06:53   #25
Марк
Senior Member
 
Аватар для Марк
 
Регистрация: 18.08.2007
Адрес: M.O.
Возраст: 58
Сообщений: 2,128
Вес репутации: 2724/86
Марк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond reputeМарк has a reputation beyond repute
По умолчанию Re: Объединение портов МК для получения большего тока

Про транзисторы в УМ.
https://www.diodes.com/assets/Datasheets/ZXMN10A11G.pdf
Добавлю, что речь шла о напряжении питания драйвера затворов, поэтому с учетом затворного резистора и падения на самом драйвере напряжение на затворах было примерно на 1 вольт ниже.
Проблема возникла собственно из-за драйвера, у которого стремительно росла рассеиваемая мощность на частотах переключения (около 10 МГц) и эту мощность я пытался уменьшить.
УМ коммутировал ток примерно 1,0...1,2 А.
Марк вне форума   Ответить с цитированием
Ответ


Здесь присутствуют: 1 (пользователей: 0 , гостей: 1)
 
Опции темы
Опции просмотра

Ваши права в разделе
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения

BB коды Вкл.
Смайлы Вкл.
[IMG] код Вкл.
HTML код Выкл.

Быстрый переход

Похожие темы
Тема Автор Раздел Ответов Последнее сообщение
Тестовая прошивка для мк Tenchi Вопросы начинающих 10 11.03.2009 21:49
PCI шина для МК SobakaWWW Общетехнические вопросы 8 26.02.2008 10:37
Программа для получения кода картинок шрифтов для мт12864 кому нить встречалась? Sergey1 Общетехнические вопросы 6 12.11.2007 21:16
проблемка с PIC16F628A bereg_ok Продукция MICROCHIP 72 07.09.2007 11:00
Делаете ли вы в МК закладки для отладки? michipic Продукция MICROCHIP 15 19.03.2007 20:28


Часовой пояс GMT +3, время: 10:48.


Powered by vBulletin® Version 3.8.9
Copyright ©2000 - 2017, Jelsoft Enterprises Ltd. Перевод: zCarot