Форум Микро-Чип
Поиск и заказ электронных компонентов
 

Вернуться   Форум Микро-Чип > Общетехнические вопросы

Общетехнические вопросы Общие вопросы аналоговой и цифровой электроники.

Ответ
 
Опции темы Опции просмотра
Старый 11.05.2017, 12:00   #1
Pridnya
Senior Member
 
Регистрация: 21.01.2009
Возраст: 38
Сообщений: 4,444
Вес репутации: 4370/120
Pridnya has a reputation beyond reputePridnya has a reputation beyond reputePridnya has a reputation beyond reputePridnya has a reputation beyond reputePridnya has a reputation beyond reputePridnya has a reputation beyond reputePridnya has a reputation beyond reputePridnya has a reputation beyond reputePridnya has a reputation beyond reputePridnya has a reputation beyond reputePridnya has a reputation beyond repute
По умолчанию MOSFET:Zener-Protected SuperMESH vs MDmesh™ II Power MOSFET

Здравствуйте, товарищи!
Использовался MOSFET от STMicroelectronics "Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET D2PAK", потребовалось найти аналог. При выборе аналога смотрел на три-четыре параметра:
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Drain-Source Voltage, Vds = 600V
Continuous Drain Current, Id = 13A
Pulsed Drain Current, Idm= 52A
Static Drain-Source On Resistance, Rds = 0.48 Ohm.

И выбрал более дешевый от той же STMicroelectronics "MDmesh™ II Power MOSFET in D2PAK":
Drain-Source Voltage, Vds = 600V
Continuous Drain Current, Id = 13A
Pulsed Drain Current, Idm= 52A
Static Drain-Source On Resistance, Rds = 0.26 Ohm.

Казалось бы аналог должен быть лучше, но при термотренировке изделий примерно 5% новых транзисторов выходят из строя. Режим работы транзистора ключевой со большой скважностью, т.е. открывается примерно на 5мс и 100 мс закрыт, при этом импульсный ток ограничен до 9 ампер.

Сравнил два даташита, посмотрел даташиты на другие транзисторы и обнаружил параметр (лавинный ток?), про который я раньше и не знал, у оригинального
Цитата:
Iar Avalanche current, repetitive or not-repetitive (pulse width limited by T J max) 10 A
А у дешевого аналога по новой технологии
Цитата:
Iar Avalanche current, repetitive or not-repetitive (pulse width limited by T J max) 4,5 A
И аппликуха у ST есть про "феномен", что этот параметр может быть критичным для обратноходовых импульсных источников питания, причем критична величина индуктивности рессеивания первичной обмотки (обычно малая величина не превышающая нескольких десятков мкГн): AN4337 -The avalanche issue: comparing the impacts of the I AR and E AS parameters
Но у меня не обратноход, а обычный релейный стабилизатор напряжения. Может, индуктивность проволочных резисторов повлияла, у меня их 4 штуки последовательно?

PS: ZenerProtected (на входе транзистора) не считаем, т.к. в схеме уже есть защита входа от перенапряжения и она всегда цела.
__________________
Прогресс неизбежен.

Последний раз редактировалось Pridnya; 11.05.2017 в 12:05.
Pridnya вне форума   Ответить с цитированием
Старый 11.05.2017, 14:52   #2
DimaS
Senior Member
 
Регистрация: 05.04.2008
Адрес: Israel
Возраст: 44
Сообщений: 1,403
Вес репутации: 2061/70
DimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond repute
По умолчанию Re: MOSFET:Zener-Protected SuperMESH vs MDmesh™ II Power MOSFET

Цитата:
При выборе аналога смотрел на три-четыре параметра:
А на Total Gate Charge, вхзодную емкость и dV/dT ты совсем не смотришь?
DimaS на форуме   Ответить с цитированием
Старый 11.05.2017, 17:48   #3
Pridnya
Senior Member
 
Регистрация: 21.01.2009
Возраст: 38
Сообщений: 4,444
Вес репутации: 4370/120
Pridnya has a reputation beyond reputePridnya has a reputation beyond reputePridnya has a reputation beyond reputePridnya has a reputation beyond reputePridnya has a reputation beyond reputePridnya has a reputation beyond reputePridnya has a reputation beyond reputePridnya has a reputation beyond reputePridnya has a reputation beyond reputePridnya has a reputation beyond reputePridnya has a reputation beyond repute
По умолчанию Re: MOSFET:Zener-Protected SuperMESH vs MDmesh™ II Power MOSFET

Цитата:
Сообщение от DimaS Посмотреть сообщение
А на Total Gate Charge, входную емкость и dV/dT ты совсем не смотришь?
Не смотрю совсем, т.к. у меня не высокочастотный ключ на десятки и сотни килогерц, а обыкновенный низкочастотный на единицы-десятки герц. Т.е. схема не критична к Total Gate Charge, сейчас посмотрел параметры ранее использовавшихся транзисторов - лучше всего работают два у которых Total Gate Charge 92 nC и 200 nС, а у аналога MDmesh™ II Power MOSFET он равен 35 nC. Я много разных транзисторов перепробовал:
1 - 63 nC (Max) 400V +
2 - 49 nC (Max) 600V -
3 - 200 nC (Max) 800V +
4 - 92 nC (Max) 600V ZenerProtected +
5 - 35 nC (Typ, Max не указан) 600V -, вот это и есть аналог у которого Iar равен половине от Drain current (continuous), у первых четырех он равен или почти равен ему. Новые технологии и низкая цена проявляются пыхом.
__________________
Прогресс неизбежен.
Pridnya вне форума   Ответить с цитированием
Старый 11.05.2017, 18:40   #4
DimaS
Senior Member
 
Регистрация: 05.04.2008
Адрес: Israel
Возраст: 44
Сообщений: 1,403
Вес репутации: 2061/70
DimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond reputeDimaS has a reputation beyond repute
По умолчанию Re: MOSFET:Zener-Protected SuperMESH vs MDmesh™ II Power MOSFET

Цитата:
Сообщение от Pridnya Посмотреть сообщение
Не смотрю совсем, т.к. у меня не высокочастотный ключ на десятки и сотни килогерц, а обыкновенный низкочастотный на единицы-десятки герц. Т.е. схема не критична к Total Gate Charge,
Согласен.
Но на dV/dt посмотреть не мешает, а заодно и померять его в реальной схеме. У меня часто бывало что именно спонтанный выход мосфетов из строя, был из-за его превышения.
DimaS на форуме   Ответить с цитированием
Ответ


Здесь присутствуют: 1 (пользователей: 0 , гостей: 1)
 
Опции темы
Опции просмотра

Ваши права в разделе
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения

BB коды Вкл.
Смайлы Вкл.
[IMG] код Вкл.
HTML код Выкл.

Быстрый переход


Часовой пояс GMT +3, время: 00:08.


Powered by vBulletin® Version 3.8.9
Copyright ©2000 - 2017, Jelsoft Enterprises Ltd. Перевод: zCarot