![]() |
|
|
Источники питания и силовая электроника Блоки питания, MOSFET, IGBT, управление мощными исполнительными механизмами |
![]() |
|
Опции темы | Опции просмотра |
![]() |
#1 |
Senior Member
Регистрация: 29.01.2014
Сообщений: 168
Вес репутации: 160/21 ![]() ![]() |
![]()
Добрый день!
В схеме с работой на индуктивную нагрузку (катушка зажигания) хочу поставить IGBT транзистор, за место MOSFET. При прерывания тока в катушке образуется выброс прямого напряжения (обратное гасится диодом), превышающее максимальный Uкэ IGBT транзистора и происходит лавинный пробой. Не могу найти внятной информации в интернете про этот режим: он обратимый (как в MOSFET) или транзистор выходит из строя? |
![]() |
![]() |
![]() |
#2 |
Senior Member
Регистрация: 18.08.2007
Адрес: МО
Возраст: 59
Сообщений: 2,392
Вес репутации: 3250/98 ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
![]()
Лавинный пробой будет необратимым, если он станет тепловым.
А так он всегда обратим по определению. Был такой советский прибор - ПНХТ-2. На нем легко определялось напряжение лавинного пробоя любых полупроводников. Достаточно было ограничить ток пробоя безопасным уровнем. |
![]() |
![]() |
![]() |
#3 |
Senior Member
Регистрация: 03.07.2007
Адрес: Минск
Возраст: 39
Сообщений: 878
Вес репутации: 1338/64 ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
![]()
обратный диод ставица паралельно катушке и проблема забываеца.
__________________
Построил тепличку, посеял литопсы, вырастил кактусы |
![]() |
![]() |
![]() |
#4 |
Senior Member
Регистрация: 28.07.2015
Адрес: NA
Возраст: 55
Сообщений: 198
Вес репутации: 660/21 ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
#5 |
Senior Member
Регистрация: 03.07.2007
Адрес: Минск
Возраст: 39
Сообщений: 878
Вес репутации: 1338/64 ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
![]()
я так понял, т.с. хочет сэкономить диод, рискуя транзистором
__________________
Построил тепличку, посеял литопсы, вырастил кактусы |
![]() |
![]() |
![]() |
#6 |
Senior Member
Регистрация: 18.08.2007
Адрес: МО
Возраст: 59
Сообщений: 2,392
Вес репутации: 3250/98 ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
![]()
сразу видно - пешеход...
Он желает искру получить на свечах. ЭДС самоиндукции для этого - необходимое условие. |
![]() |
![]() |
![]() |
#7 |
Senior Member
Регистрация: 03.07.2007
Адрес: Минск
Возраст: 39
Сообщений: 878
Вес репутации: 1338/64 ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
![]()
спасібо за раз'ясненіе
__________________
Построил тепличку, посеял литопсы, вырастил кактусы |
![]() |
![]() |
![]() |
#8 |
Senior Member
Регистрация: 29.01.2014
Сообщений: 168
Вес репутации: 160/21 ![]() ![]() |
![]()
Всем спасибо!
Да, так и есть. Диод ставить нельзя. По хорошему и внутренний диод бы выкинуть, если бы у него обратной проводимости не было бы. Нашел статью где говорят что MOSFET более устойчивы к лавинному пробою. Делема: MOSFET напряжение пробоя ниже устойчивость выше, IGBT наоборот. Как посчитать или может в справочнике есть инфа про ток лавинного пробоя IGBT? Промоделировал выходной каскад на MOSFET в Altium. С IGBT не хочет, выдает ошибку, но это уже другая история. |
![]() |
![]() |
![]() |
#9 |
Senior Member
Регистрация: 18.08.2007
Адрес: МО
Возраст: 59
Сообщений: 2,392
Вес репутации: 3250/98 ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
![]()
В отличии от мосфетов, в IGBT встроенный диод совсем не обязателен. Есть транзисторы с ним, а есть и без него.
С другой стороны не озвучена величина напряжения пробоя, которая требуется, дабы избежать его в схеме. |
![]() |
![]() |
![]() |
#10 |
Senior Member
Регистрация: 02.04.2008
Адрес: Кременчуг
Возраст: 33
Сообщений: 1,345
Вес репутации: 2386/76 ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
![]()
Я не в теме теории теории транзисторов, но на газ66 было электронное зажигание с выходным транзистором КТ848. Возможно заглянуть в его характеристики, что бы подобрать нужный IGBT. Единственное, там к катушке было требование, что бы "нижние" концы были разделены.
|
![]() |
![]() |
![]() |
#11 |
Senior Member
Регистрация: 18.08.2007
Адрес: МО
Возраст: 59
Сообщений: 2,392
Вес репутации: 3250/98 ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
![]()
Никогда бы не подумал, что в "шишиге" было электронное зажигание...
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
#12 |
Super Moderator
Регистрация: 25.02.2007
Адрес: Moscow, ODBS
Сообщений: 6,810
Вес репутации: 5397/165 ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
![]()
которые с приемкой конечно.
в са водил урал 71 года выпуска. Компонентом зажигания был "аварийный вибратор". При отказе коммутатора катушка подключалась к нему и худо-бедно можно было дотянуть до гаража или куда там... по теме зажигания - помнятся долгие дебаты тех лет "транзистор vs тмрмстор". |
![]() |
![]() |
![]() |
#13 |
Senior Member
Регистрация: 29.01.2014
Сообщений: 168
Вес репутации: 160/21 ![]() ![]() |
![]()
Проверял осцилографом. ЭДС самоиндукци больше 500В, дальше у MOSFET пробой идет. Думаю порядка 1200 вольт поставить.
Просто идея фикс, это от радиатора избавиться. Сейчас на транзисторе выделяется 1-3 вата по расчетам и в реале. Всё тепло появляется из-за лавинного пробоя. Если использовать IGBT без внутреннего диода, разве он обратным напряжением не откроется? На первичной обмотке получается колебательный процесс +_500В. |
![]() |
![]() |
![]() |
#14 |
Senior Member
Регистрация: 02.04.2008
Адрес: Кременчуг
Возраст: 33
Сообщений: 1,345
Вес репутации: 2386/76 ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
![]()
На газ66 тоже такой был в военных модификациях. Еще были с полностью экранированной системой зажигания (провода и люльки в экранах и резисторы последовательно со свечами зажигания). Это модификации для работы с чувствительным оборудованием на борту.
|
![]() |
![]() |
![]() |
#15 |
Senior Member
Регистрация: 29.01.2014
Сообщений: 168
Вес репутации: 160/21 ![]() ![]() |
![]()
Нашел ВАХ IGBT. Какое напряжение пробоя левой нижней части графика если без диода, примерно хотя бы?
|
![]() |
![]() |
![]() |
#16 |
Senior Member
Регистрация: 29.01.2014
Сообщений: 168
Вес репутации: 160/21 ![]() ![]() |
![]()
Ошибка
|
![]() |
![]() |
![]() |
#17 |
Senior Member
Регистрация: 29.01.2014
Сообщений: 168
Вес репутации: 160/21 ![]() ![]() |
![]()
Даже сам все нашел. Как важно общение
![]() Получается для пробоя: 1200в 250мкА Обратное напряжение 18В 1А |
![]() |
![]() |
![]() |
Здесь присутствуют: 1 (пользователей: 0 , гостей: 1) | |
Опции темы | |
Опции просмотра | |
|
|
![]() |
||||
Тема | Автор | Раздел | Ответов | Последнее сообщение |
Пробой затвора IGBT CM150E3U-24H | DENich | Источники питания и силовая электроника | 15 | 24.06.2009 01:23 |
IGBT транзисторы | Neodim | Источники питания и силовая электроника | 10 | 17.06.2009 19:09 |
Ключ на IGBT | Viteks | Источники питания и силовая электроника | 30 | 16.02.2009 20:43 |
Управление IGBT | vl@dim1r | Источники питания и силовая электроника | 6 | 17.12.2007 16:00 |
Высоковольтный инвертор на IGBT | AS25 | Источники питания и силовая электроника | 1 | 24.08.2007 09:48 |