Форум Микро-Чип

Форум Микро-Чип (http://www.microchip.su/index.php)
-   Вопросы начинающих (http://www.microchip.su/forumdisplay.php?f=14)
-   -   Объединение портов МК для получения большего тока (http://www.microchip.su/showthread.php?t=18166)

Евгений Владимирович 18.09.2017 21:12

Объединение портов МК для получения большего тока
 
1) Подскажите пожалуйста разрешается ли объединять 2 порта (спаивать 2 ножки МК) например RA1 и Ra0 (pic16f84a) для получения тока в 40mA на выходе.
Для чего делаю, для симистора Bt139 требуется более 20mA в течении 15mS

Поиском пользовался видел несколько таких схем. ставить дополнительно транзистор не вариант.

2) Параллельно не по теме вопрос. МПлаб 8.30 (Си компилятор HCPICP-pro-9.60PL5) перестал понимать команды записи TRISB = 255; компилятор как будто пропускает эту команду но компилятор видит\понимает только TRISB0 = 1;TRISB1 = 1; и т.д.

DimaS 18.09.2017 21:25

Re: Объединение портов МК для получения большего тока
 
Я объединял.
Только надо еще помнить про допустимый общий ток через ноги питания.

Евгений Владимирович 18.09.2017 23:00

Re: Объединение портов МК для получения большего тока
 
Цитата:

Сообщение от DimaS (Сообщение 234531)
Я объединял.
Только надо еще помнить про допустимый общий ток через ноги питания.

тоесть ток увеличивался (конфликтов с работой пика не наблюдалось) и симистор нормально открывался? Спасибо за ответ

По второму пункту вопроса сам все решил, переустановил компилятор и мплаб все нормализовалось.

korsaj 19.09.2017 10:32

Re: Объединение портов МК для получения большего тока
 
Цитата:

Сообщение от Евгений Владимирович (Сообщение 234530)
для симистора Bt139 требуется более 20mA в течении 15mS

Чет в даташите нет таких букав...

Евгений Владимирович 19.09.2017 11:16

Re: Объединение портов МК для получения большего тока
 
Цитата:

Сообщение от korsaj (Сообщение 234539)
Чет в даташите нет таких букав...

https://lib.chipdip.ru/583/DOC001583327.pdf
ошибся не 15ms, хотел написать 15мкс
время открытия 2мкс,
ток открывания typ - 22ma max - 70ma

Марк 19.09.2017 12:17

Re: Объединение портов МК для получения большего тока
 
Цитата:

Сообщение от Евгений Владимирович (Сообщение 234532)
тоесть ток увеличивался (конфликтов с работой пика не наблюдалось) и симистор нормально открывался?

Только надо помнить, что допустимый ток не удвоится и что выводить нужно одновременно. Вообще то по хорошему объединять нужно через выравнивающие резисторы.

DimaS 19.09.2017 14:19

Re: Объединение портов МК для получения большего тока
 
Цитата:

Сообщение от Марк (Сообщение 234541)
Вообще то по хорошему объединять нужно через выравнивающие резисторы.

Не нужно, его роль в данном случае прекрасно исполняет Rdson выходного каскада пина.

Цитата:

Сообщение от Евгений Владимирович (Сообщение 234532)
тоесть ток увеличивался (конфликтов с работой пика не наблюдалось) и симистор нормально открывался? Спасибо за ответ
.

У меня не сиимистор был, а другая нагрузка, причем не импульсом а постоянно. Работало прекрасно.
А симистор BTB24 у меня с ожной ножки пика через MOC3063 работает.

mos 19.09.2017 18:36

Re: Объединение портов МК для получения большего тока
 
По хорошему, через диоды надо объединять, чтобы сквозной ток исключить...

korsaj 19.09.2017 19:53

Re: Объединение портов МК для получения большего тока
 
Почему-то всегда думал что для полевиков не нужны выравнивающие резисторы. Ну а насчет надежности - лучше дополнить транзистором чем ноги в пучек собирать (личное мнение).

DimaS 19.09.2017 21:51

Re: Объединение портов МК для получения большего тока
 
Цитата:

Сообщение от Марк (Сообщение 234544)
Нет, обычное правило надежности.
Никто не гарантирует одинаковый Rdson.

У одинаковых транзисторов на одном кристалле, при постоянной температуре, Rdson будет с приемлимой точностью тоже одинаковый.
Никто-же не "уравнивает" токи в мощных полевиках?
Я имею ввиду те малюсенькие полевички, из которых состоит любой вертикальный мощный мосфет - в нем просто 10-20 тысяч маленьких мосфетиков параллельно :)

mos 19.09.2017 23:22

Re: Объединение портов МК для получения большего тока
 
У мосфетов, в отличии от биполяров, положительный температурный коэффициент Rds, поэтому их можно баянить сколько угодно. Однако, выход порта- это не ключ с открытым стоком, а стойка полумоста. Порты переключаются хоть и сихронно, но транзисторы в них открываются с разной скоростью (особенно под нагрузкой). Поэтому, если непосредственно параллелить выходы портов между собой- могут шуровать импульсы сквозного тока, т.е. к.з. на шине питания внутри кристалла. Проще говоря- генерить помехи...

Марк 20.09.2017 07:06

Re: Объединение портов МК для получения большего тока
 
Цитата:

Сообщение от HHIMERA (Сообщение 234548)
И какой же разброс допустим??? Ась???

Закон Ома, учи, болезный...
Выше резоны по балласту изложили. Мало того, при управлении гейтом тиристора-симистора ПО ЛЮБОМУ нужно ставить балластный резистор. Всего делов - разделить его на два равных по каждому выходу.

Марк 20.09.2017 07:08

Re: Объединение портов МК для получения большего тока
 
Цитата:

Сообщение от mos (Сообщение 234553)
У мосфетов, в отличии от биполяров, положительный температурный коэффициент Rds

Выше определенной точки по входной характеристике.

mos 20.09.2017 09:36

Re: Объединение портов МК для получения большего тока
 
Цитата:

Сообщение от Марк (Сообщение 234556)
Выше определенной точки по входной характеристике.

Положительная зависимость Rds от Tj присутствует во всем диапазоне рабочих температур (-60...+180), никакой точки там нет. Вы путаете с зависимостью максимального тока или мощности от температуры перехода...

Марк 20.09.2017 10:07

Re: Объединение портов МК для получения большего тока
 
А я ничего не говорил о зависимости от температуры.
Положительный ТКС наблюдается выше определенного напряжения затвор-исток. Ниже - ТКС отрицателен. В самой этой точке равен нулю.
ЗЫ. Ссылку сейчас дать не могу. До конца дня выхожу только со смартфона.

mos 20.09.2017 10:25

Re: Объединение портов МК для получения большего тока
 
Цитата:

Сообщение от Марк (Сообщение 234561)
Положительный ТКС наблюдается выше определенного напряжения затвор-исток. Ниже - ТКС отрицателен.

Вы ошибаетесь, положительный ТКС присутствует всегда. Просто на выходные характеристики транзистора еще накладывается зависимость Rds от Vgs. Последний параметр актуален лишь для линейного режима работы транзистора. В ключевом режиме его если и учитывают, то в сильноточных схемах для анализа переходных процессов...

Марк 20.09.2017 10:32

Re: Объединение портов МК для получения большего тока
 
2. Я делаю - и все работает - отмазка для таких как ты, Стас, балаболов. Мимо.
7. Да, сопротивление канала является естественным балластом. Но с учетом разброса и без учета паразитных диодов параллельно каналам. При условии, что расчета на удвоение тока не будет - можно объединять без балласта.
15. На самом деле в мощных транзисторах представлять структуру как сумму маленьких не вполне корректно. Они не находятся каждый в своем р-кармане, в отличии от р-транзисторов в мосфетах.

DimaS 20.09.2017 10:46

Re: Объединение портов МК для получения большего тока
 
Вложений: 2
Цитата:

Сообщение от Марк (Сообщение 234561)
А я ничего не говорил о зависимости от температуры.
Положительный ТКС наблюдается выше определенного напряжения затвор-исток. Ниже - ТКС отрицателен.
В самой этой точке равен нулю.
ЗЫ. Ссылку сейчас дать не могу. До конца дня выхожу только со смартфона.

Наверное, имеется ввиду точка термостабильности, когда при постоянном напряжении на гейте, нагрев приводит к уменьшению тока?

Марк 20.09.2017 11:05

Re: Объединение портов МК для получения большего тока
 
Спасибо, именно это я и имел ввиду.
С учетом, что напряжение в CMOS на затворах в принципе находятся рядом с точкой нулевого ТКС.
Важнее разброса сопротивлений канала будет уязвимость сдвоенного пина к защелкиванию. Ток защелкивания будет очень далек от удвоения.

Марк 20.09.2017 11:15

Re: Объединение портов МК для получения большего тока
 
Цитата:

Сообщение от mos (Сообщение 234563)
Вы ошибаетесь, положительный ТКС присутствует всегда. Просто на выходные характеристики транзистора еще накладывается зависимость Rds от Vgs. Последний параметр актуален лишь для линейного режима работы транзистора. В ключевом режиме его если и учитывают, то в сильноточных схемах для анализа переходных процессов...

Это как?
Вообще то самому транзистору глубоко по барабану режим. Всегда можно выбрать нагрузку столь малой, что транзистор выйдет в активный режим. Не вижу никакой связи с отрицательным ТКС при малых затворных напряжениях.
Кстати, я сталкивася с саморазогревом транзисторов, когда пытался уменьшить затворное напряжение и рассеиваемую мощность драйвера на высокой частоте коммутации.

mos 20.09.2017 18:52

Re: Объединение портов МК для получения большего тока
 
Цитата:

Сообщение от Марк (Сообщение 234569)
Это как?

Выше были картинки. На одной показана зависимость сопротивления канала от температуры, при заданных Id и Vgs- ТКС положительный. Вторая картинка- кривые тока от Vgs, при разных температурах. График напряжения начинается с 4вольт, т.е. с порогового напряжения Vth и показывает, как зависит пороговое напр. от температуры. Очевидно, что для ключевого режима, когда Vg>=10В, имеем положительный ТКС.

В линейном режиме, когда Vgs может находится ниже порогового или близко к нему, мы попадаем в зону, где график показывает отрицательный ТКС. Т.е., с одной стороны с нагреванием кристалла будет повышаться Rds, а с другой- понижаться Vth, (что, в свою очередь, будет приводить к увеличению проводимости перехода). Т.о., ТКС будет зависть от того, какой из описанных эффектов будет преобладать...

Цитата:

Сообщение от Марк (Сообщение 234569)
Кстати, я сталкивася с саморазогревом транзисторов, когда пытался уменьшить затворное напряжение и рассеиваемую мощность драйвера на высокой частоте коммутации.

С уменьшением Vgs уменьшалось проводимость канала, соответственно и падало на нем больше вольтов- отсюда и разогрев. Это в статике. А в динамике- с уменьшением Vgs увеличилось время открывания ключа...

Марк 20.09.2017 22:01

Re: Объединение портов МК для получения большего тока
 
Цитата:

Сообщение от mos (Сообщение 234577)
Очевидно, что для ключевого режима, когда Vg>=10В, имеем положительный ТКС.
...................
В линейном режиме, когда Vgs может находится ниже порогового или близко....

Хотелось бы внести ясность.
Ключевой режим транзистора подразумевает ДВА преобладающих состояния: состояние отсечки и состояние насыщения. Если с отсечкой все более-менее ясно, то вот с насыщением.... Вы пишите очень странные вещи.
ЛЮБОЕ напряжение на затворе выше порогового может установить режим насыщения транзистора. Подчеркиваю - ЛЮБОЕ. Все зависит от сопротивления нагрузки. При напряжении питания ключа 10 вольт, токе канала 1 мА и сопротивлении нагрузки 10 кОм,транзистор будет находится в режиме насыщения. Полагаю Вам не надо говорить о том, что ток канала в 1 мА можно получить при напряжении затвор-исток чуть выше порогового? Именно режим малых токов канала позволяет управлять низкими напряжениями в КМОП структуре.
Но если нагрузку сделать равной 5 кОм, при том же 1 мА через канал транзистор вывалится в центр активного режима и начнется его нагрев. Или напряжение питания поднять....

Цитата:

Сообщение от mos (Сообщение 234577)
С уменьшением Vgs уменьшалось проводимость канала, соответственно и падало на нем больше вольтов- отсюда и разогрев. Это в статике. А в динамике- с уменьшением Vgs увеличилось время открывания ключа...

Изменение проводимости канала СОВЕРШЕННО не причем. Я умею считать и динамические и статические потери. Опять же в состоянии измерить с помощью осциллографа режим ключа. И время отпирания ключа я так же в состоянии измерить. Тем более, что речь шла о ключевом УМ работающем на балун-трансфлюксор и П-фильтр.
Для информации.
Саморазогрев наступал при напряжении на затворе в 6 вольт и СОВЕРШЕННО не наступал при напряжении 7 вольт. Как Вы сами понимаете, такая разница не может приводить к столь заметному эффекту связанному с сопротивлением канала...

mos 21.09.2017 02:21

Re: Объединение портов МК для получения большего тока
 
Цитата:

Сообщение от Марк (Сообщение 234578)
Хотелось бы внести ясность. ЛЮБОЕ напряжение на затворе выше порогового может установить режим насыщения транзистора.

Собственно, диалог возник вокруг ТКС и почему он становится отрицательным при малых затворных напряжениях. Очевидно, что обсуждать ТКС канала, при токах через ключ в единицы мА, смысла не имеет...

Что касается области насыщения, то параметр Vth и указывает на начало этой области, при этом дается ссылка на Vd и Id, при которых производились измерения. В свою очередь, график передаточной хар-ки показывает зависимость Id от Vgs или, если угодно, как растет Vth при увеличении тока через ключ. Т.е., пороговое напряжение Vth можно назвать условным параметром, дающим лишь типовое представление о нижней рабочей области управляющего напр. транзистора. Поэтому утверждать, что ЛЮБОЕ напряжение на затворе выше порогового может установить режим насыщения транзистора- не корректно. По большому счету, любое напряжение выше нуля может привести к насыщению...
Цитата:

Сообщение от Марк (Сообщение 234578)
Для информации.
Саморазогрев наступал при напряжении на затворе в 6 вольт и СОВЕРШЕННО не наступал при напряжении 7 вольт.

Осталось указать тип транзистора...

Марк 21.09.2017 06:19

Re: Объединение портов МК для получения большего тока
 
А теперь вспомним, что речь шла не о ключах вообще, а о КМОП структурах в режимах предельных токов. То есть на участке, где драйвер работает в режиме генератора тока и нагрузка имеет сопротивление соизмеримое с каналом. Это практически уже и не отсечка.
Про транзисторы в УМ немного позже.

Марк 21.09.2017 06:53

Re: Объединение портов МК для получения большего тока
 
Про транзисторы в УМ.
https://www.diodes.com/assets/Datasheets/ZXMN10A11G.pdf
Добавлю, что речь шла о напряжении питания драйвера затворов, поэтому с учетом затворного резистора и падения на самом драйвере напряжение на затворах было примерно на 1 вольт ниже.
Проблема возникла собственно из-за драйвера, у которого стремительно росла рассеиваемая мощность на частотах переключения (около 10 МГц) и эту мощность я пытался уменьшить.
УМ коммутировал ток примерно 1,0...1,2 А.


Часовой пояс GMT +3, время: 21:36.

Powered by vBulletin® Version 3.8.9
Copyright ©2000 - 2018, Jelsoft Enterprises Ltd. Перевод: zCarot